Российские ученые получили материалы для создания элементов памяти будущего

НОВОСИБИРСК, 18 мар. Ученые Новосибирского госуниверситета разработали новые материалы для создания перспективных элементов памяти будущего, которые будут превосходить флеш-память по количеству циклов перезаписи, емкости и быстродействию, сообщает во вторник НГУ.
В вузе пояснили, что в настоящее время технологии дошли до рубежа, когда человечество из флеш-памяти выжало «максимум»: достигнуто максимальное количество циклов перезаписи, максимальная продолжительность использования, максимальные объемы по емкости на один элемент. Используя эту же технологию, кратно увеличить параметры памяти электронных приборов не представляется возможным.

«Помочь преодолеть эти ограничения может новый тип памяти, вроде мемристора. Существуют и другие типы памяти, но именно мемристор отличается тем, что при его применении можно на порядки увеличить количество циклов перезаписи по сравнению с флеш-памятью… Кроме того, имеются публикации, в которых авторы показывают, что у мемристоров один цикл перезаписи более краткий по длительности: если у флеш-памяти это доли микросекуд, то у мемристоров — десятки наносекунд или даже пикосекунды», — сообщил младший научный сотрудник лаборатории функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники НГУ, аспирант Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Иван Юшков.

В НГУ пояснили, что оксид кремния — это наиболее распространённый диэлектрик, он используется для производства различных микросхем. Кремний-германиевые стекла – это смесь оксидов кремния и германия. Ранее исследовались отдельно оксиды кремния либо оксиды германия. Сибирские ученые решили совместить свойства этих двух веществ и первыми в мире обнаружили в этих материалах мемристорный эффект («эффект памяти»), изучили их опто-электрические свойства, а сейчас исследуют процессы, происходящие в них в процессе протекания тока.
«Германо-силикатные стекла с таким составом кроме нас пока не исследовал никто, а мы хотели бы получить в перспективе из данного материала современные элементы памяти, которые превосходили бы привычную нам флеш-память (Flash USB drive) по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надежности», — сказал ученый.
Значимость исследования заключается в том, что благодаря его результатам исследователи могут определить параметры мемристора теоретически, не выращивая его наноструктуру.