Connect with us

Привет, что-то ищете?

The Times On Ru
  1. The Times On RU
  2. /
  3. Технологии
  4. /
  5. В России определили условия для создания более совершенных полупроводников

Технологии

В России определили условия для создания более совершенных полупроводников

МОСКВА, 12 фев. Способ определять оптимальные условия для создания наноматериалов, используемых в современной электронике предложили специалисты НИУ МИЭТ. Предложенная схема позволит получать более совершенные полупроводники для элементов оперативной и постоянной памяти в компьютерах и смартфонах. Результат представлен в Surfaces and Interfaces.
При создании устройств, способных хранить и обрабатывать цифровую информацию, в настоящее время используют полупроводниковые материалы. Их химическая чистота и упорядоченность структуры обуславливают вычислительные возможности устройства, рассказали ученые Национального исследовательского университета «МИЭТ» (НИУ МИЭТ).

«Разработка современных устройств начинается с контролируемого роста новых материалов, одним из которых является соединение германия, сурьмы и теллура в виде тонких пленок. Хотя процесс формирования этих элементов в мире неплохо отработан, ключевым моментом является освоение технологии их контролируемого выращивания на кристаллических полупроводниковых подложках из кремния – такой подход позволит внедрить этап их формирования в существующие технологии», — рассказал старший научный сотрудник лаборатории электронной микроскопии и доцент института физики и прикладной математики НИУ МИЭТ Александр Приходько.

Ученые НИУ МИЭТ совместно с коллегами из Германии и Италии усовершенствовали инструмент, который позволит выращивать тонкие пленки из соединения германия, сурьмы и теллура для элементов памяти с заданными характеристиками. Понимание состава и структуры особых наноостровков на поверхности создаваемого слоя может привести к созданию более эффективных и надежных технологий хранения данных, подчеркнул Приходько.

«Структура пленки нарушается при ее нанесении на кремний: на поверхности формируются нанометровые островки, причем их ориентация в пространстве не случайна и связана с влиянием симметрии подложки кремния. Выявить эти особенности и понять, что они являются ключевой проблемой в создании надежных жестких дисков и переносных накопителей, нам помогло сочетание современных методов анализа материалов и методов машинного обучения, в частности, сверхточных нейронных сетей», — рассказал ученый.
В будущем специалисты планируют применить сочетание методов для анализа других тонких пленок при контакте с «макроскопическими» материалами и усовершенствовать «цифровое» зрение для выявления особенностей таких взаимодействий.

Работа выполнена при поддержке министерства науки и высшего образования Российской Федерации.

Оставить комментарий

Leave a Reply

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Стоит Посмотреть

Стоит Посмотреть

Новости По Дате

Февраль 2026
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
 1
2345678
9101112131415
16171819202122
232425262728  

Вам может быть интересно:

Авто

24 апреля 2026 года в Москве на площадке Центра событий РБК (Космодамианская наб., 52, стр. 7) пройдет форум «Электро//Движение». Это профессиональное отраслевое событие, где...

Общество

МОСКВА, 1 фев. Осужденный за поджог вертолета в подмосковном аэропорту «Остафьево» Станислав Хамидулин заявил, что не считает совершенное им преступление крупным. «Я все равно...

Общество

Водитель съехал в ледовую расщелину: на Байкале погибла 75-летняя туристка Фото: Дмитрий Золотов тестовый баннер под заглавное изображение Следственный комитет России возбудил уголовное дело...

Политика

Глава Севастополя Развожаев: военные отражают атаку ВСУ, работает ПВО Фото: MOD Russia/Global Look Press ВС РФ отражают атаку ВСУ на Крым, в регионе работает...