Connect with us

Привет, что-то ищете?

The Times On Ru
  1. The Times On RU
  2. /
  3. Технологии
  4. /
  5. В России определили условия для создания более совершенных полупроводников

Технологии

В России определили условия для создания более совершенных полупроводников

МОСКВА, 12 фев. Способ определять оптимальные условия для создания наноматериалов, используемых в современной электронике предложили специалисты НИУ МИЭТ. Предложенная схема позволит получать более совершенные полупроводники для элементов оперативной и постоянной памяти в компьютерах и смартфонах. Результат представлен в Surfaces and Interfaces.
При создании устройств, способных хранить и обрабатывать цифровую информацию, в настоящее время используют полупроводниковые материалы. Их химическая чистота и упорядоченность структуры обуславливают вычислительные возможности устройства, рассказали ученые Национального исследовательского университета «МИЭТ» (НИУ МИЭТ).

«Разработка современных устройств начинается с контролируемого роста новых материалов, одним из которых является соединение германия, сурьмы и теллура в виде тонких пленок. Хотя процесс формирования этих элементов в мире неплохо отработан, ключевым моментом является освоение технологии их контролируемого выращивания на кристаллических полупроводниковых подложках из кремния – такой подход позволит внедрить этап их формирования в существующие технологии», — рассказал старший научный сотрудник лаборатории электронной микроскопии и доцент института физики и прикладной математики НИУ МИЭТ Александр Приходько.

Ученые НИУ МИЭТ совместно с коллегами из Германии и Италии усовершенствовали инструмент, который позволит выращивать тонкие пленки из соединения германия, сурьмы и теллура для элементов памяти с заданными характеристиками. Понимание состава и структуры особых наноостровков на поверхности создаваемого слоя может привести к созданию более эффективных и надежных технологий хранения данных, подчеркнул Приходько.

«Структура пленки нарушается при ее нанесении на кремний: на поверхности формируются нанометровые островки, причем их ориентация в пространстве не случайна и связана с влиянием симметрии подложки кремния. Выявить эти особенности и понять, что они являются ключевой проблемой в создании надежных жестких дисков и переносных накопителей, нам помогло сочетание современных методов анализа материалов и методов машинного обучения, в частности, сверхточных нейронных сетей», — рассказал ученый.
В будущем специалисты планируют применить сочетание методов для анализа других тонких пленок при контакте с «макроскопическими» материалами и усовершенствовать «цифровое» зрение для выявления особенностей таких взаимодействий.

Работа выполнена при поддержке министерства науки и высшего образования Российской Федерации.

Оставить комментарий

Leave a Reply

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Стоит Посмотреть


Стоит Посмотреть

Новости По Дате

Февраль 2026
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
 1
2345678
9101112131415
16171819202122
232425262728  

Вам может быть интересно:

Общество

Подросток погиб, выпав с 21-го этажа здания гостиницы 17-летний подросток приехал на олимпиаду для выпускников и выпал с 21-го этажа здания гостиницы на востоке...

Политика

Детективная повесть, основанная на реальных событиях Фрагмент из новой книги, который вы сейчас прочтете, интересен хотя бы тем, что одним из авторов предисловия к...

Культура

МОСКВА, 8 мар. Народный артист России Стас Михайлов представил дуэт «Никто не знает» с заслуженной артисткой РФ Наташей Королевой на концерте в Москве в...

Культура

МОСКВА, 2 мар. Новая экранизация произведения Александра Пушкина «Сказка о царе Салтане» режиссера Сарика Андреасяна снова возглавила российский кинопрокат, заработав 255,2 миллиона рублей в...